姓    名 张学宇
性    别
出生年月 1983.6.23
职    称 讲师
最高学历 博士
毕业学校 大连理工大学
所属单位 材料科学与工程学院
现任职务 nbsp;
电子邮箱 Dlut417@163.com
联系方式 13214307742
研究方向 半导体光电材料与器件
主讲课程及教学情况
焊接成型工艺、耐磨及减摩材料
荣誉称号、获奖情况
社会及学术兼职情况
承担科研项目情况
1、2015年 长春市科技局项目,“多弧离子镀制备nc-TiN/a-Si3N4超硬薄膜及其应用研究”14GH016,25万元。主持
2、2014年 长春市科技局项目,“氢化纳米晶硅薄膜的制备及应用研究”c2014030709ma,25万元。主持
3、2013年 长春工业大学校内基金,“离子镀工艺在晶体硅太阳能电池上的应用研究”2012LG11,1.8万元。主持。
发表论文情况
1. Xueyu Zhang, Aimin Wu*, Shaofei Shi, Fuwen Qin. Influence of Ar/H2 ratio on the characteristics of Boron-doped hydrogenated nanocrystalline silicon films prepared by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor depositon. Surface and Coatings Technology, 228:412-415. 2013.
2. Xueyu Zhang, Aimin Wu*, Shaofei Shi, Fuwen Qin, Jiming Bian. Influence of Ar/H2 ratio on the characteristics of phosphorus-doped hydrogenated nanocrystalline silicon films prepared by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor depositon. Thin Solid Films, 521: 181-184. 2012.
3. Xueyu Zhang, Aimin Wu, Hongyun Yue, Juan Hu, Lishi Wen. Preparation of p-type microcrystal Si:H films by ECR-PECVD. Materials Science Forum, 2010, 675-677: 1287-1290. EI
4.张学宇,吴化,刘耀东,吴爱民. Ar流量对ECR-PECVD制备氢化纳米晶硅薄膜结构及性能影响研究. 人工晶体学报,42(9):1750-1756. 2013.
5.张学宇,吴爱民,冯煜东,胡娟,岳红云,闻立时. ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究. 人工晶体学报,39(4):852-856,2010.
 
其他
 

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